隨著我國航空航天、工業(yè)等領(lǐng)域的快速發(fā)展，許多場景任務(wù)提出了多物理量、多參數(shù)并行測量和處理的要求，一體化多功能復(fù)合傳感器受到越來越多的關(guān)注。市面上常見的比較成熟的復(fù)合傳感器是溫度和壓力兩個物理量的測量。采用溫度與壓力集成芯片的方式實現(xiàn)單芯片多功能同時測量溫度和壓力信息，復(fù)合壓力傳感器芯片測溫元件可以準(zhǔn)確反映壓力傳感器工作環(huán)境溫度，從而為溫度補(bǔ)償提供準(zhǔn)確參考依據(jù)，提高傳感器精度，同時MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片能夠降低傳感器尺寸，提高集成度。

目前，國內(nèi)外沒有關(guān)于MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片專用標(biāo)準(zhǔn)，用戶和生產(chǎn)廠家之間沒有統(tǒng)一的質(zhì)量技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。本項目研究制定關(guān)于MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片通用技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，對適用于航空航天、工業(yè)、能源開發(fā)等領(lǐng)域的MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片基本性能要求及測試方法進(jìn)行了規(guī)定。研制我國自主的MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片國家標(biāo)準(zhǔn)，將彌補(bǔ)我國該領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)空白，加快我國MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片研發(fā)、生產(chǎn)效率，降低產(chǎn)品成本，提高我國MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片產(chǎn)品質(zhì)量，引領(lǐng)國產(chǎn)MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片進(jìn)入國際市場。