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樓主 發(fā)表于: 06-26
, 來自:江蘇省0==
近日，一則重磅消息從國際電工委員會（IEC）傳來：由維信諾參股公司辰顯光電牽頭制定的國際標準提案《半導體器件 第 5-17 部分：光電子器件 發(fā)光二極管 微型發(fā)光二極管陣列器件光電參數(shù)測試方法》順利通過新工作項目提案（NP）投票，正式邁入標準起草階段。這不僅是 Micro-LED 領(lǐng)域首個成功立項的國際標準，更是我國在該技術(shù)方向主導的首個國際標準，為我國半導體顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展樹立重要里程碑。
據(jù)介紹，該提案明確了Micro-LED陣列光電參數(shù)的標準化測量條件和測量方法，將為Micro-LED顯示器件的生產(chǎn)制造、檢驗檢測及國際貿(mào)易交流提供統(tǒng)一的技術(shù)依據(jù)，一方面對于確保Micro-LED產(chǎn)品的品質(zhì)與性能一致性具有關(guān)鍵支撐作用，另一方面將解決長期以來Micro-LED光電參數(shù)測試方法不統(tǒng)一的行業(yè)痛點。
在顯示行業(yè)發(fā)展進程中，Micro-LED因其高亮度、低功耗、自發(fā)光等優(yōu)勢受到廣泛關(guān)注，有望成為新一代主流顯示技術(shù)。在Micro-LED制程中，混bin工藝對品質(zhì)管控至關(guān)重要，其本質(zhì)是通過光電參數(shù)測試，對不同波長、亮度的LED精準分級以匹配應用需求。這是實現(xiàn)Micro-LED光學參數(shù)一致性調(diào)控的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，將直接影響顯示的均一性與良率提升。而隨著Micro-LED芯片的微縮化，傳統(tǒng)的測試方案難以滿足需求。
企業(yè)相關(guān)負責人介紹，面對行業(yè)挑戰(zhàn)，辰顯光電通過創(chuàng)新性地采用選擇性巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)制備電驅(qū)動的Micro-LED測試陣列，實現(xiàn)了快速、批量測試Micro-LED的亮度長/短程均勻性、色度均勻性等關(guān)鍵光電參數(shù)。這相當于建立了一個高效且精確的“數(shù)據(jù)庫”，極大地便利了混bin工序?qū)Σ煌匦訪ED的精準分類與匹配，從而有效解決了Micro-LED光學均一性不足等問題，為生產(chǎn)高性能Micro-LED顯示屏奠定了標準基礎。
產(chǎn)業(yè)發(fā)展，標準先行。近年來，中、日、韓紛紛開啟Micro-LED產(chǎn)業(yè)和標準布局，搶占國際標準話語權(quán)勢在必行。國家工業(yè)和信息化部等印發(fā)的《電子信息制造業(yè)2023-2024年穩(wěn)增長行動方案》中明確指出推動Micro-LED等擴大應用。國家標準化管理委員會等四部門印發(fā)的《新產(chǎn)業(yè)標準化領(lǐng)航工程實施方案（2023—2035年）》中也明確提出，全面推進新興產(chǎn)業(yè)標準體系建設，在未來顯示中強調(diào)研制Micro-LED顯示等關(guān)鍵技術(shù)標準。此次由辰顯光電參與立項的國際標準將有力推動Micro-LED顯示技術(shù)的標準化、規(guī)范化進程，進一步提升助力我國在半導體顯示器件領(lǐng)域的話語權(quán)和國際影響力。
來源：昆山開發(fā)區(qū)發(fā)布
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